| 型号： | ZXM66P03N8TA | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| ZXM66P03N8TA PDF |  |
| 产品目录绘图 | SO-8 |
| 其它图纸 | SO-8 Single Pin Out |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 6.25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 25 毫欧 @ 5.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 36nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1979pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.56W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 标准包装 |
| 产品目录页面 | 1473 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | ZXM66P03N8DKR |